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采用電子束蒸發(fā)法,以高純CdS塊料為膜料在玻璃基底上制備了CdS薄膜,設(shè)計了L9(34)正交實驗,研究了各工藝參數(shù)對薄膜光電性能的影響。結(jié)果表明,隨著基底溫度,蒸發(fā)速率的提高,薄膜的電阻值呈降低趨勢達到最小值后稍有升高;薄膜的阻值隨真空度的降低而降低,達到一定程度后阻值基本保持不變。薄膜的暗亮電阻比即光敏性,隨基底溫度的增大先增大達到最大值后開始減小;而隨蒸發(fā)速率的提高光敏性先緩后急的增加;真空度對光敏性的影響與蒸發(fā)速率對光敏性的影響正好相反,表現(xiàn)為隨真空度的增加光敏性先急后緩的降低。正交實驗表明:當基底溫度為150℃,蒸發(fā)速率為1 nm·s-1,真空度為3×10-3Pa時,薄膜的光電性能最好。CdS薄膜的光敏性達到7.7×102,其中亮電阻的最小值為1350Ω/□。