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文章采用直流反應(yīng)磁控濺射和熱還原退火法制備VO2薄膜,研究了退火溫度與時(shí)間對(duì)該薄膜相變和性能的影響。采用原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射儀(XRD)、紅外光譜儀、LCR精密電橋?qū)Ρ∧さ男蚊?、結(jié)構(gòu)組分、光學(xué)性能和變溫電阻進(jìn)行了測(cè)試與分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,濺射法制備的VO2薄膜主要為V2O5相,經(jīng)過(guò)500℃/120min氫氣熱還原退火后,薄膜逐步轉(zhuǎn)變?yōu)閂O2相,電阻突變可達(dá)到2個(gè)數(shù)量級(jí)。