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在室溫條件下采用射頻磁控濺射法在石英襯底上制備了高質(zhì)量的ZnO：In薄膜。并且研究了不同退火溫度對(duì)ZnO：In薄膜的結(jié)構(gòu)、光電性能的影響,結(jié)果顯示薄膜的晶粒大小隨著退火溫度的升高而增大,同時(shí)薄膜的載流子濃度隨著退火溫度的升高而降低,薄膜光學(xué)帶隙也隨著退火溫度的升高而減小,第一性原理計(jì)算結(jié)果表明間隙鋅原子在ZnO：In薄膜中的遷移勢(shì)壘為0.90eV。間隙鋅原子的受熱溢出是薄膜光學(xué)帶隙減小和載流子濃度降低的主要原因。