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采用水熱法在ZnO籽晶層上制備了不同In摻雜量的ZnO薄膜,用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外可見分光光度計和熒光光譜儀等測試分析薄膜的微結(jié)構(gòu)、表面形貌、透射譜和室溫光致發(fā)光譜。結(jié)果表明,In離子的摻入未改變薄膜的晶相結(jié)構(gòu),但抑制了ZnO晶粒的生長,使得ZnO的結(jié)晶度明顯下降。隨著In含量的增加,薄膜表面rms粗糙度和平均顆粒尺寸均逐漸減小,光學(xué)帶隙Eg先增大后減小。所有薄膜的PL譜中均觀察到405 nm左右的紫光發(fā)光帶,研究了In摻雜量對紫光發(fā)光帶的強度和峰位的影響,并對其紫光發(fā)射機理進行了探討。