利用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上沉積SnS 薄膜并對其進行快速退火處理,利用X 射線衍射( XRD) 、拉曼光譜( Raman) 、X 射線能量色散譜( EDS) 、原子力顯微鏡( AFM) 和紫外-可見-近紅外( UV-Vis-NIR) 分光光度計研究了不同濺射功率( 60 ~ 120 W) 條件下制備的SnS 薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、物相組成、化學(xué)組分、表面形貌以及有關(guān)光學(xué)特性。結(jié)果表明: 經(jīng)快速退火的薄膜均已結(jié)晶,提高濺射功率有利于改善薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、生長擇優(yōu)取向程度和化學(xué)配比,薄膜的平均顆粒尺寸呈增大趨勢; 濺射功率為100 W 的薄膜樣品的結(jié)晶質(zhì)量和擇優(yōu)取向度高,薄膜應(yīng)變最小,且為純相SnS 薄膜,Sn /S 組分的量比為1∶ 1. 09,吸收系數(shù)達105 cm- 1 量級,直接禁帶寬度為1. 54 eV。
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作者
劉丹丹;李學(xué)留;李琳;史成武;梁齊.
期刊
發(fā)光學(xué)報,37:9,1114-1123(2016)
年份