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　采用反應(yīng)射頻磁控濺射技術(shù)制備ＨｆＴａＯ薄膜，利用Ｘ射線衍射（ＸＲＤ）分析了薄膜的微結(jié)構(gòu)，通過(guò)紫外－可見(jiàn)光分光光度計(jì)測(cè)量了薄膜的透過(guò)譜，計(jì)算了薄膜的折射率和禁帶寬度，利用原子力顯微鏡觀察了薄膜的表面形貌。結(jié)果表明，隨著Ｔａ 摻入量（１０％，２６％，５０％）的增加，ＨｆＴａＯ薄膜的結(jié)晶化溫度分別為８００、９００、９５０℃，Ｔａ摻入量繼續(xù)增加到７２％，經(jīng)過(guò)９５０℃退火處理的ＨｆＴａＯ薄膜仍然保持非晶態(tài)，具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性。ＡＦＭ 形貌分析顯示非晶ＨｆＴａＯ薄膜表面非常平整。在５５０ｎｍ 處薄膜折射率ｎ隨著Ｔａ摻入量的增大而增大，ｎ的變化區(qū)間為１．９０～２．１５。同時(shí)ＨｆＴａＯ薄膜的光學(xué)帶隙Ｅｇ隨著Ｔａ摻入量的增大而逐漸減小，Ｅｇ的變化區(qū)間為４．１５～５．２９ｅＶ