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　采用掃描隧道顯微鏡(STM) 在32phen yl212ureidonitrile (PUN) 有機單體薄膜上進(jìn)行了超高密度信息存儲的研
究. 通過在STM 針尖和高定向裂解石墨(HOPG) 襯底之間施加一系列的電壓脈沖,在薄膜上寫入了一個穩(wěn)定的5
×6 信息點陣,信息點的大小是018nm. 電流2電壓( I2V ) 曲線表明,施加電壓脈沖前后薄膜的導(dǎo)電性質(zhì)發(fā)生了變
化. 信息點的寫入機制可能是強電場作用下引發(fā)的PUN 分子的局域聚合,從而導(dǎo)致薄膜由高電阻態(tài)向低電阻態(tài)轉(zhuǎn)
變.