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利用金屬蒸汽真空弧離子源(MEVVA)進行離子束合成,制備了過劑量C+離子注入到單晶硅襯底的
樣品。然后利用熱退火,在表層制備了連續(xù)β2SiC層, 形成表層SiC/Si的異質結構。利用傅里葉變換紅外光
譜( FTIR)對其成鍵特征和微結構進行了分析,通過光電子能譜分析(XPS)和原子力顯微鏡(AFM)分析了樣
品的成分分布及其表面形貌。最后對其室溫下的光致發(fā)光特性隨熱退火的時間和溫度的變化進行了研究。
結果表明:光致發(fā)光譜( PL)表現(xiàn)出430, 560 nm兩個發(fā)光峰,分別對應于納米碳化硅和塊狀立方碳化硅發(fā)光
的特征峰。我們認為小顆粒的晶化碳化硅的尺寸及其相對比例對PL發(fā)光峰位和強度有較大的影響,用納米
晶粒量子效應(NSUQC)理論和表面態(tài)理論對發(fā)光現(xiàn)象及其變化規(guī)律進行了初步的解釋。