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利用真空熱蒸發(fā)法在玻璃基片上制備SnS薄膜,在50℃~200℃之間,研究了基片溫度對SnS薄膜的結構、形貌和光電性能的影響。結果表明,隨著基片溫度的升高,SnS薄膜的結晶度越好,薄膜變得更光滑,薄膜顆粒也增大了;薄膜的平均粗糙度從19.1 nm減小到3.92 nm,薄膜顆粒的平均粒徑從108 nm增大到150 nm。而且隨著基片溫度的升高,SnS薄膜的載流子濃度從7.118×1013cm-3提高到2.169×1015cm-3,而電阻率從641.8Ω.cm降低到206.2Ω.cm。但是基片溫度對薄膜的物相結構和導電類型沒有影響。在不同基片溫度下,所制備的薄膜都是具有正交結構的多晶SnS,在(111)晶面上有很強的擇優(yōu)取向,其導電類型都為p型。