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采用中頻磁控反應濺射工藝進行了氮化鋁薄膜的制備，對沉積速率、晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌與氮氣流量和濺射功率之間的變化關系進行了研究。結(jié)果表明，通過調(diào)節(jié)N₂流量和濺射功率選擇性地獲得非晶態(tài)和沿著c 軸方向擇優(yōu)生長的晶態(tài)AlN 薄膜。在化合物沉積模式下，增加濺射功率和增加反應氣體流量均有利于獲得非晶態(tài)AlN 薄膜，并且減小薄膜表面粗糙度，獲得光滑的AlN 薄膜，并采用薄膜生長原理對這種現(xiàn)象進行了解釋。