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用KrF 準(zhǔn)分子脈沖激光沉積(PLD)法,以石英為襯底,在300 益~600 益制備了MgZnO 薄膜。由拉曼光譜儀、AFM、UV/ vis 分光光度計(jì)對(duì)薄膜進(jìn)行表征,結(jié)果表明,在600 益制備薄膜有最大的禁帶寬度3. 78 eV,以及最好的結(jié)晶質(zhì)量。在此薄膜上鍍上Al 電極制備紫外傳感器,測(cè)量了傳感器的的I鄄V 曲線、光譜響應(yīng)特性,以及在365 nm 紫外光輻照下的時(shí)間響應(yīng)特性。
傳感器波長(zhǎng)響應(yīng)峰值在約320 nm;上升時(shí)間常數(shù)為9. 1 ms,下降時(shí)間常數(shù)為16. 5 ms。