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使用溶劑蒸汽輔助制備超薄PVP柵介質(zhì)膜,得到了低漏電流密度(E=1 MV/cm時(shí),為1.12×10-9A/cm2;E=2 MV/cm時(shí),為5.42×10-9A/cm2)、膜厚為10 nm的超薄PVP柵介質(zhì)膜,其單位面積柵電容達(dá)到了566 nF/cm2。此外,AFM測(cè)試表明溶劑蒸汽輔助退火使薄膜表面粗糙度由0.36 nm降到了0.21 nm,空間電荷限制電流法(SCLC)的分析結(jié)果表明薄膜體內(nèi)陷阱密度減少了26%。