摘要: 采用射頻磁控濺射法制備了氧化鋅基薄膜晶體管（ZnO-TFTS），研究了氬氧分壓比對(duì) ZnO 薄膜生長(zhǎng)以及 ZnO-TFT 電學(xué)特性的影響。結(jié)果表明：氬氧分壓比為 40/16 和 40/8 時(shí)制得的 ZnO-TFT 樣品，都存在氧過量現(xiàn)象， 生長(zhǎng)晶向都存在一定左偏移，有源層溝道都為 n?型，均工作在增強(qiáng)型模式下，飽和特性都較好，且都呈現(xiàn)出一個(gè)較大的負(fù)方向漏電流，但氬氧分壓比為 40/16 時(shí)制備的 ZnO 薄膜結(jié)晶性更好，其所對(duì)應(yīng)的 ZnO-TFT 具有更高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率和開關(guān)電流比，以及更低的亞閾值擺幅。
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作者
李星活;王聰;彭強(qiáng)