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利用脈沖激光沉積(PLD)在玻璃襯底上制備了Cu摻雜SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合壓制而成(Cu和Sn的量比分別為0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射線衍射(XRD)、拉曼光譜儀(Raman)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外-可見-近紅外分光光度計(jì)(UV-Vis-NIR)、Keithley4200-SCS半導(dǎo)體參數(shù)分析儀研究了Cu摻雜量對SnS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:所制備的SnS薄膜樣品沿(111)晶面擇優(yōu)取向生長,SnS∶5%Cu薄膜的結(jié)晶質(zhì)量最好且具有SnS特征拉曼峰。隨著Cu摻雜量的增大,平均顆粒尺寸逐漸增大。不同Cu摻雜量的薄膜在可見光范圍內(nèi)的吸收系數(shù)均為105cm-1數(shù)量級。SnS∶5%Cu薄膜的禁帶寬度Eg為2.23eV,光暗電導(dǎo)率比值為2.59。同時,在玻璃襯底上制備了p-SnS∶Cu/n-ZnS異質(zhì)結(jié)器件,器件在暗態(tài)及光照的條件下均有良好的整流特性,并具有較弱的光伏特性。