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采用電子束蒸發(fā)法，以高純CdS塊料為膜料在玻璃基底上制備了CdS薄膜。利用X射線衍射儀和原子力顯微鏡表征其晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌，用四探針電阻測試儀和紫外可見分光光度計(jì)分析其電學(xué)及光學(xué)特性。結(jié)果表明，蒸發(fā)速率對薄膜結(jié)構(gòu)及特性有顯著影響，其中在蒸發(fā)速率為10?S-1制備的CdS薄膜均勻致密且其XRD衍射峰強(qiáng)度最大，薄膜的光電性能最好。這些CdS薄膜的光敏性達(dá)到7.7×102，其中亮電阻的最小值為1350Ω/□。