用電子束蒸發(fā)物理氣相沉積(EB-PVD)技術(shù)在單晶Si片上制備SiC薄膜,通過(guò)臺(tái)階儀(surfaceprofiler)、原子力顯微鏡(AFM)、半導(dǎo)體綜合測(cè)試儀、X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)薄膜表面形貌、電學(xué)性能及其結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。結(jié)果表明:SiC薄膜越厚,表面平均粗糙度越低;退火溫度越高,薄膜結(jié)晶質(zhì)量越好;對(duì)SiC薄膜進(jìn)行輻照的光頻率越高,光電流越大
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作者
潘訓(xùn)剛,何曉雄,胡冰冰,馬志敏
期刊
合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)
年份