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采用微波等離子體化學氣相沉積法(M PCVD) , 以N 2、CH4 作為反應氣體合成碳氮
膜。通過控制反應溫度、氣體流量、微波功率、反應氣壓等工藝條件, 在Si 和P t 基片上, 進行
B2C3N 4 晶態(tài)薄膜的合成研究。掃描電鏡(SEM ) 下觀察到生長在Si 基底上的薄膜具有六角晶
棒的密排結構。掃描隧道顯微鏡(STM ) 下觀察到在P t 基底上生長的碳氮薄膜由針狀晶粒組
成。EDX 分析表明, 隨沉積條件的不同, Si 基底上的氮碳薄膜中N ?C 在1. 0 到2. 0 之間; P t
基底上生長的碳氮薄膜N ?C 在0. 8～ 1. 3 之間。X 射線衍射分析(XRD) 發(fā)現(xiàn)薄膜中含有B2
C3N 4 和A2C3N 4。