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采用外加電磁線圈直流磁控濺射法低溫制備了ZnO:Al透明導(dǎo)電薄膜,研究了不同沉積參數(shù)對(duì)AZO薄膜電學(xué)性能的影響.通過(guò)改變外加同軸線圈磁場(chǎng)來(lái)改變基 片處等離子體密度,并用Langmuir探針進(jìn)行了測(cè)量.研究結(jié)果表明:低溫沉積(＜100℃)時(shí),增加基片區(qū)域等離子體密度可以顯著改善AZO薄膜的電 阻率及其空間均勻性,同時(shí)也改善了表面形貌,并對(duì)其機(jī)理進(jìn)行了分析。