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采用化學原位氧化聚合法制備了導電聚合物3, 4-聚乙烯二氧噻吩(PEDT)薄膜.系統(tǒng)研究了不同工藝條件對聚合物電導率的影響.發(fā)現(xiàn)單體與氧化劑體積比為1∶4、溶劑含量90%(體積分數(shù))、加入 聚合改良劑0.5%(體積分數(shù))、反應溫度-5℃時可以獲得較高電導率(＞20 S/cm)薄膜.首次結合元素分析法,研究了工藝條件對聚合物相對分子質量的影響,結果表明,聚合溫度25℃,ψ(單體:氧化劑:聚合改良 劑)=1∶4∶2的條件下,所合成的PEDT可獲得最大平均相對分子質量(1 068)和聚合度(7.6),并對相應的機理進行了探討