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采用直流反應(yīng)磁控濺射法低溫沉積ITO薄膜，用XRD、SEM和UV-Vis分別表征ITO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及其紫外-可見光吸收譜，研究了氧分壓、濺射功率及薄膜厚度等工藝參數(shù)對薄膜光電性能的影響，結(jié)果表明，氧分壓過大時，ITO薄膜中有大量的位錯和缺陷，使薄膜的電阻率變大，導(dǎo)電性變差；氧分壓過小時，薄膜中將有大量氧空位產(chǎn)生，導(dǎo)致晶格變形，使電阻率增加。隨著濺射功率增大，在相同時間內(nèi)薄膜厚度增加，方塊電阻減小，薄膜電阻率降低。隨著薄膜厚度增加，制備的薄膜晶體結(jié)構(gòu)相對完整，載流子濃度和遷移率逐漸增大，薄膜電阻率變小，進(jìn)而對樣品的光電性能產(chǎn)生明顯影響