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以聚苯乙烯膠體晶體為模板,采用磁控濺射方法制備了孔徑分別為1.2,2.4,3.4,4.5和5.6 μm的Ni微網格透明電極.利用掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外可見分光光度計(UV-Vis)和四探針測試儀考察了微網格孔徑對電極透過率及導電性能的影響.發(fā)現(xiàn)隨網格孔徑增大,電極透過率逐漸降低,導電性能逐漸增強.微網格透明電極在紫外與可見光區(qū)具備優(yōu)良的透明導電性能.微網格結構的理論計算和原子力顯微鏡(AFM)分析結果表明,隨著模板中PS球直徑的增大,Ni在基底上覆蓋厚度的線性增大,是導致微網格透明電極透光性能下降和導電性能增強的根本原因.