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?采用射頻磁控濺射法分別在LaAlO3（LAO）（001）和SrTiO3（STO）（001）單晶基片上沉積了La1-xZnxMnO3（x=0.3,0.5,0.7）系列薄膜。通過X射線衍射,原子力顯微鏡,X射線光電子能譜和四探針法等分別研究了在基片LAO和基片STO上沉積的La1-xZnxMnO3薄膜的相結構、微形貌、表面化學態(tài)和磁電阻等性質。結果表明：薄膜在空氣中900℃退火2h后,晶粒與基片之間形成了穩(wěn)定的外延結構。La0.5Zn0.5MnO3和La0.7Zn0.3MnO3薄膜的晶粒生長良好。在溫度為300K,磁場為1.5T的條件下,在LAO上沉積的La0.5Zn0.5MnO3薄膜和在STO上沉積的La0.7Zn0.3MnO3薄膜的巨磁電阻變化分別高達25%和28%