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利用原子層沉積法(ALD)在硫鈍化后的n型InP表面沉積 Al2 O3薄膜進(jìn)行二次鈍化處理.通過(guò)光致發(fā)光(PL)測(cè)試和原子力顯微鏡(AFM)測(cè)試對(duì)樣品的光學(xué)性質(zhì)及表面形貌進(jìn)行表征.硫鈍化能夠有效降低樣品的表面態(tài) 密度及無(wú)輻射復(fù)合幾率,因此樣品PL發(fā)光強(qiáng)度得到了極大提高.而樣品表面的Al2 O3可防止鈍化層被氧化,盡管相對(duì)于沉積Al2 O3薄膜前樣品的光致發(fā)光強(qiáng)度有所降低,但樣品的穩(wěn)定性得到了改善,因此可進(jìn)一步提高樣品的發(fā)光性能.