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用射頻磁控濺射法生長的ZnO 薄膜作為有源層,制備出了ZnO 基薄膜晶體管(ZnO鄄TFT),并在空氣環(huán)境下350 益退火1 h,研究了溝道寬度對ZnO鄄TFT 器件性能的影響。實驗結(jié)果表明:閾值電壓隨著溝道寬度的減小而增加,這是由于溝道越窄,載流子被捕獲的幾率越大,在相同柵壓下溝道內(nèi)可動載流子濃度越小,相應(yīng)的閾值電壓就越大;飽和遷移率隨著溝道寬度的減小而增加,認(rèn)為這是由源/ 漏電阻的側(cè)壁效應(yīng)及邊緣電子場效應(yīng)引起的附加電流所致。