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通過改進拋光霧液供液系統(tǒng),結合超聲波霧化技術對原霧化施液CMP實驗系統(tǒng)進行優(yōu)化,并進行了工藝實驗。通過單因素試驗研究霧化參數(shù)對拋光結果的影響,利用正交試驗得到最優(yōu)工藝參數(shù)組合,并在相同條件下將霧化拋光與傳統(tǒng)拋光進行比較。結果表明:該實驗系統(tǒng)的最優(yōu)參數(shù)組合為霧化器電壓50 V、拋光壓力8 psi(1 psi=6 895 Pa)、拋光盤轉速為70 r/min,此時材料去除速率為171.853 nm/min,表面粗糙度為4.76 nm。與傳統(tǒng)拋光相比材料去除速率稍低,但表面粗糙度要好,且拋光液消耗量(1.03 g/min)約為傳統(tǒng)拋光(10 g/min)的1/10。由于霧化器將拋光液中分子結構打散形成大量霧液,從而減少拋光液中磨粒團聚,同時霧化液更能均勻分散吸附在拋光墊上,增加了參與拋光的有效磨粒數(shù),有利于材料去除和形成高質量表面。