摘要: 采用射頻磁控濺射法制備了氧化鋅基薄膜晶體管（ZnO-TFTS），研究了氬氧分壓比對 ZnO 薄膜生長以及 ZnO-TFT 電學特性的影響。結果表明：氬氧分壓比為 40/16 和 40/8 時制得的 ZnO-TFT 樣品，都存在氧過量現(xiàn)象， 生長晶向都存在一定左偏移，有源層溝道都為 n?型，均工作在增強型模式下，飽和特性都較好，且都呈現(xiàn)出一個較大的負方向漏電流，但氬氧分壓比為 40/16 時制備的 ZnO 薄膜結晶性更好，其所對應的 ZnO-TFT 具有更高的場效應遷移率和開關電流比，以及更低的亞閾值擺幅。
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作者
李星活;王聰;彭強