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采用掃描隧道顯微鏡(STM) 在p2nitrobenzonitrile(PNBN) 單體有機(jī)薄膜上進(jìn)行信息記錄點(diǎn)的寫
入研究。通過(guò)在STM針尖和高定向裂解石墨(HOPG) 襯底之間施加一系列的電壓脈沖進(jìn)行信息記錄
點(diǎn)的寫入,得到了一個(gè)信息點(diǎn)點(diǎn)徑小于1nm, 對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)密度高達(dá)1013 bitPcm2 的信息存儲(chǔ)點(diǎn)陣。電流
- 電壓( I - V) 曲線表明,薄膜上非信息點(diǎn)存儲(chǔ)區(qū)域是高電阻區(qū),而信息點(diǎn)存儲(chǔ)區(qū)域是導(dǎo)電區(qū),具有0
-1 信息存儲(chǔ)特性。PNBN單體有機(jī)薄膜的存儲(chǔ)機(jī)制可能是規(guī)則排列的PNBN分子在強(qiáng)電場(chǎng)作用下由
有序向無(wú)序的轉(zhuǎn)變,使得薄膜的電阻由高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)變,從而實(shí)現(xiàn)信息點(diǎn)的寫入。