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采用常壓MOCVD方法在Cu／Si（111）基板上生長ZnO薄膜，研究了緩沖層的生長溫度對ZnO外延膜性能的影響。實驗通過干涉顯微鏡、原子力顯微鏡、高分辨X射線衍射儀、光致發(fā)光譜儀對樣品的表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)以及發(fā)光性能進(jìn)行了分析。實驗結(jié)果表明：ZnO／Cu／Si（111）外延膜的性能與緩沖層的生長溫度有一定關(guān)系。當(dāng)緩沖層溫度控制在400℃附近時ZnO外延膜C軸取向較為明顯、晶粒大小較均勻、結(jié)構(gòu)也更為致密，并且PL光譜中與缺陷有關(guān)的深能級發(fā)射峰也相對較弱。