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采用金屬有機化合物氣相沉積(MOCVD)兩步生長法在自持化學 氣相沉積(CVD)金剛石厚膜的成核面上制備ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生長特性和電學特性. 結(jié)果表明, 在基片溫度為600 ℃時沉積得到的ZnO薄膜表面均勻, 取向較一致, 為c軸取向生長. 其載流子遷移率為3.79 cm2/(V·s).