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利用脈沖激光沉積法(PLD)在Si 襯底上制備NiO 薄膜,利用X 射線衍射(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)對所制備薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行表征分析,研究襯底溫度和脈沖激光能量對NiO 薄膜結(jié)構(gòu)和形貌的影響,得到生長質(zhì)量較高、擇優(yōu)取向的多晶NiO 薄膜的一種最佳制備條件。制備了p- NiO/n- Si異質(zhì)結(jié)器件,I- V 特性測試表明,器件具有良好的整流特性

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作者

汪禮柱;梁金;何曉雄;梁齊

期刊

真空

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