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利用離子束濺射沉積技術(shù),設(shè)計(jì)三元復(fù)合靶,直接制備CuInSe_2(CIS)薄膜.通過(guò)X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和分光光度計(jì)檢測(cè)在不同襯底溫度和退火溫度條件下制備的CIS薄膜的微結(jié)構(gòu)、表面形貌和光學(xué)性能.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:使用離子束濺射沉積技術(shù)制備的CIS薄膜具有黃銅礦結(jié)構(gòu),在一定的條件下,適當(dāng)溫度的熱處理可以制備結(jié)構(gòu)緊密、顆粒均勻、致密性和結(jié)晶性良好的CIS薄膜,具有強(qiáng)烈的單一晶向生長(zhǎng)現(xiàn)象.