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用射頻磁控濺射方法在Si[100]襯底上沉積了La0.8Bi0.2MnO3多晶薄膜,再在不同溫度下進(jìn)行退火熱處理.使用XRD衍射儀、原子力顯微鏡(AFM)分別對薄膜微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,結(jié)果顯示薄膜隨著退火溫度的升高逐漸晶化,晶體結(jié)構(gòu)屬于鈣鈦礦菱形結(jié)構(gòu);薄膜的表面致密、晶粒大小均勻,850 ℃退火的薄膜晶粒尺寸約40 nm 左右.薄膜的X射線光電子能譜(XPS) 測量表明薄膜中Bi 的價態(tài)為Bi3+和Bi5+.經(jīng)過退火的薄膜在室溫300 K、液氮77 K下都存在巨磁電阻效應(yīng).850 ℃退火的薄膜,溫度為300 K和77 K、磁場為1.5 T條件下,磁電阻分別達(dá)到22.50%和26.98%.