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采用自行設(shè)計(jì)和加工的微波電子回旋共振裝置、進(jìn)氣系統(tǒng)和工藝程序,以三甲基鋁為前軀體,氧氣 為氧化劑,HF處理過的單晶硅片為基片,在無任何外加熱條件下進(jìn)行原子層沉積氧化鋁薄膜的實(shí)驗(yàn)研究。利用x射線衍射、x射線光電子能譜、掃描電子顯微鏡、 原子力顯微鏡、高分辨率透射電子顯微鏡等分析手段對薄膜進(jìn)行了化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)的表征。結(jié)果表明,制備的氧化鋁薄膜為非晶態(tài)結(jié)構(gòu),薄膜的表面非常光滑平 整。薄膜的截面微觀結(jié)構(gòu)圖像顯示,薄膜厚度大約為80nm,界面清晰、按照周期數(shù)和層數(shù)線形生長規(guī)律進(jìn)行生長。

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作者

桑利軍;張躍飛;陳強(qiáng);李興存

期刊

真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)

年份