采用射頻磁控濺射技術(shù)制備HfLaO薄膜, 利用X射線衍射(XRD)分析了薄膜的微結(jié)構(gòu), 通過紫外?可見光分光光度計測量了薄膜的透過譜, 計算了薄膜的折射率和禁帶寬度, 利用原子力顯微鏡觀察了薄膜的表面形貌. 結(jié)果表明: 沉積態(tài)HfLaO(La: 25%~37%)薄膜均為非晶態(tài), 隨著La摻入量的增加, HfLaO薄膜的結(jié)晶化溫度逐漸升高, HfLaO(La~37%)薄膜經(jīng)900℃高溫退火后仍為非晶態(tài), 具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性, AFM形貌分析顯示非晶薄膜表面非常平整. 隨著 La摻入量的增加, HfLaO薄膜的透射率先降后增, 在可見光范圍薄膜均保持較高的透射率(82%以上). HfLaO薄膜的折射率為1.77~1.87. 隨著La摻入量的增加, HfLaO薄膜的折射率呈先增后降的變化趨勢, 同時HfLaO薄膜的Eg逐漸降低, 分別為5.9eV(La~17%)、5.87eV(La~25%)、5.8eV(La~33%)和5.77eV(La ~37%).
影響因子
0.444
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作者
李智,苗春雨,馬春雨,張慶瑜
期刊
無機材料學(xué)報
年份