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以葡萄糖、硅粉為原料，采用水熱法與焙燒結合成功地制備出一維SiC-SiO2納米線，與常規(guī)SiC納米線的制備方法相比，該法焙燒溫度低，操作簡單．運用紅外特征光譜、掃描電子顯微鏡、X射線粉末衍射、原子力顯微鏡（atomic force microscope，AFM）對其研究．結果表明：所制得的納米線為SiC-SiO2復合的核一殼結構，SiC納米線的外層均勻地包覆上了一薄層SiO2．納米線長度幾到幾十微米不等，直徑200nm左右，球形納米顆粒生長在納米線上，這些球形顆粒為碳化硅和無定形硅氧化物．根據試驗結果，分析了該方法制備SiC納米線的生長機理為氣一液一固反應．

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