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利用脈沖激光沉積(PLD)法在玻璃基片上室溫生長SnS薄膜,并在Ar氣保護(hù)下分別在200,300,400,500,600℃對薄膜進(jìn)行快速退火處理。利用X射線衍射(XRD)、拉曼光譜儀(Raman)、原子力顯微鏡(AFM)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、紫外-可見-近紅外分光光度計(UV-Vis-NIR)、Keithley4200-SCS半導(dǎo)體參數(shù)分析儀研究了快速退火溫度對SnS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌以及有關(guān)光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性能的影響。所制備的SnS薄膜樣品沿(111)晶面擇優(yōu)取向生長,退火溫度為400℃時的薄膜結(jié)晶質(zhì)量最好。薄膜均具有SnS特征拉曼峰。隨著退火溫度的升高,薄膜厚度逐漸減小,而平均顆粒尺寸逐漸增大。不同退火溫度下的SnS薄膜在可見光范圍內(nèi)的吸收系數(shù)均為105cm-1量級,400℃時退火薄膜的直接帶隙為1.92eV。隨著退火溫度從300℃升高到500℃,電阻率由1.85×104Ω·cm下降到14.97Ω·cm。